Cipuri de memorie LPDDR3 de 6Gb de la SK Hynix

Compania sud-coreeană SK Hynix Inc. a anunțat recent dezvoltarea unor microcipuri de memorie de tip Low Power DDR3 (LPDDR3) cu o densitate de 6Gb. Cipurile de înaltă densitate sunt realizate cu finețea procesului de fabricație pe 20nm, au un consum de energie relativ redus și își pot găsi întrebuințare în echiparea dispozitivelor mobile performante, cum ar fi smartphone-uri sau tablete premium. 

Patru asemenea microcipuri pot fi folosite pentru a realiza module de memorie RAM cu capacitatea de 3 GB (4 x 6Gb). Potrivit informațiilor oferite de compania producătoare, un modul de memorie RAM de 3GB, obținut în condițiile menționate, va consuma cu aproximativ 30% mai puțină energie în comparație cu același modul, dar compus din cipuri cu densitatea de 4Gb. 

Pe lângă reducerea dimensiunilor fizice, un modul de memorie realizat din cipuri de înaltă densitate va opera cu o tensiune de numai 1,2 V, specificaţie care va îngădui un consum redus. Noul cip de memorie Hynix este cotat cu o viteză de transfer a datelor de 1866 Mbps, fiind capabil să proceseze pâna la 7,4 GB/s în modul single-channel și 14,8 GB/s în dual-channel. În prezent, și Samsung proiectează cipuri asemănătoare. Revenind la SK Hynix, compania a livrat partenerilor săi mostre ale noilor produse, iar producția de masă este planificată pentru primul trimestru al anului 2014. 

Sursa: SK Hynix Inc.