În luna noiembrie, Samsung marca debutul terminalelor mobile echipate cu 3 GB de memorie RAM, iar astăzi ne informează că este pregătită să treacă la nivelul de 4 GB.
Divizia de semiconductoare a companiei sud-coreene a emis astăzi un comunicat de presă prin care anunță că a reușit obținerea primului chip de memorie de tip low power double data rate 4 (LPDDR4) cu densitatea de 8 Gb (sau 1 GB). Chipurile de înaltă densitate sunt realizate în conformitate cu standardele procesului de fabricație pe 20nm, iar încapsularea într-un singur miez (die) a patru asemenea microcipuri va permite obținerea unui modul de memorie RAM cu capacitatea de 4 GB (4 x 8 Gb). După cum vă amintiți, terminalul cel mai avansat în acest domeniu, Samsung Galaxy Note 3, dispune de 3 GB de memorie RAM.
Totodată, Samsung a profitat de ocazie pentru a trece la LPDDR4, o alternativă eficientă din punct de vedere energetic pentru DDR4. Pentru un consum cu 40% mai mic (la o tensiune de alimentare constantă de 1,1 V), noua interfață livrează performanțe cu 50% mai mari, în comparație cu cel mai rapid modul LPDDR3 sau DDR3. Samsung spune că noul chip de memorie LPDDR4 beneficiază de o viteză de transfer a datelor de 3200 Mbps per pin, dublând opurtunitățile propuse de chipurile LPDDR3 produse pe 20 nm.
Programate pentru producția de masă la începutul anului viitor, aceste chipuri de memorie vor conduce la apariția de smartphone-uri, tablete sau computere portabile echipate cu 4 GB de memorie RAM, o cantitate binevenită pentru a susține display-uri cu rezoluție înaltă și multe alte funcții avansate. De altfel, anunțul de astăzi ne îndeamnă să credem că și smartphone-ul Galaxy S5 va primi 4 GB de memorie RAM. De asemenea, să ne reamintim că Samsung a inițiat producția de ecrane cu diagonala de 5,25 inch și rezoluție WQHD (2560 x 1440 pixeli). În fine, este posibil ca terminalul amintit (Galaxy S5) să beneficieze de un nou procesor pe 64 de biți, care ar putea fi prezentat în cursul lunii viitoare.
0 comentarii:
Trimiteți un comentariu