Cu câteva zile în urmă, biroul european al companiei Toshiba a transmis un comunicat de presă prin intermediul căruia a anunțat că în portofoliul său s-au adăugat chip-uri de memorie single-level cell (SLC) NAND litografiate cu ajutorul tehnologiei pe 24nm. Dar nu este vorba despre memoria SLC NAND normală, ci despre așa-numita memorie BENAND, care are propriile sale caracteristici.
Prețul memoriei flash NAND fabricată pe baza tehnologiei mai avansate (24nm) este redus, însă celulele devin mai vulnerabile la ciclurile stresante de programare/ștergere, așa că pentru menținerea fiabilității la un nivel acceptabil este necesar un mecanism de verificare și corectare a erorilor (ECC) mai sofisticat. De exemplu, chip-urile SLC NAND pe 4x nm necesită un ECC pe un singur bit, cele pe 3x nm un ECC pe 4 biți, iar un modul SLC NAND 2x nm cere un tip de ECC pe 8 biți. Este evident că trecerea la standarde de producție mai avansate (24nm, de pildă) solicită un nou controler SSD, altfel rezistența la uzură se va reduce.
Totuși, pentru a păstra vechiul controler și în vederea simplificării trecerii către memoriile obținute cu sprijinul unui proces tehnologic mai avansat, Toshiba a propus memoria BENAND - memorii SLC NAND care încorporează tehnologie ECC la nivel de 8 biți. Acum, de verificarea și corectarea erorilor (ECC) se va ocupa fiecare chip de memorie, și nu controlerul. Și, cum am spus deja, noile chip-uri de memorie flash BENAND SLC NAND sunt fabricate utilizând regulile tehnologiei pe 24nm (în loc de 40nm). Acest fapt reduce semnificativ costul de producție, fără penalizări pe partea de performanță. Noile memorii sunt disponibile în capsule de tip BGA (ball grid array) și TSOP (Thin Small Outline Package) cu capacitatea de 8 Gb. Inovațiile companiei nipone își pot găsi întrebuințare în fabricarea produselor electronice de larg consum, de dispozitive multimedia, contoare și sisteme de iluminat inteligente, etc.
0 comentarii:
Trimiteți un comentariu